- Artikelnummer
- MTD8600N-T
- Hersteller
- Marktech Optoelectronics
- Kategorien
- Phototransistors
- RoHS
- Datenblatt
- Beschreibung
- Phototransistors Photo Diode 880nm
MTD8600N-T
Bilder dienen nur als Referenz
Spezifikationen
- Hersteller
- Marktech Optoelectronics
- Kategorien
- Phototransistors
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 30 V
- Collector-Emitter Breakdown Voltage
- 30 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 200 mV
- Dark Current
- 100 nA
- Fall Time
- 10 us
- Maximum On-State Collector Current
- 50 mA
- Maximum Operating Temperature
- + 100 C
- Minimum Operating Temperature
- - 30 C
- Mounting Style
- Through Hole
- Package / Case
- TO-18-2
- Pd - Power Dissipation
- 250 mW
- Peak Wavelength
- 880 nm
- Product
- Phototransistors
- Rise Time
- 10 us
Produktkategorie
Circuit Protection
162,445 Produkte
Connectors
2,428,639 Produkte
Electromechanical
556,105 Produkte
Embedded Solutions
41,129 Produkte
Enclosures
20,894 Produkte
Engineering Development Tools
42,996 Produkte
Industrial Automation
558,346 Produkte
LED Lighting
77,795 Produkte
Optoelectronics
109,177 Produkte
Passive Components
2,996,719 Produkte
Power
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Semiconductors
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Sensors
70,154 Produkte
Test & Measurement
23,394 Produkte
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