1N5610e3

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Spezifikationen

Hersteller
Microchip Technology
Kategorien
TVS Diodes / ESD Suppressors
Breakdown Voltage
33 V
Clamping Voltage
47.6 V
Ipp - Peak Pulse Current
32 A
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
G-Package-2
Packaging
Bulk
Polarity
Unidirectional
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Product Type
TVS Diodes
Termination Style
Axial
Working Voltage
30.5 V

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