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RM8N650LD-T

RM8N650LD-T
Artikelnummer
RM8N650LD-T
Hersteller
Rectron
Kategorien
MOSFET
RoHS
Datenblatt
Beschreibung
MOSFET D-PAK MOSFET
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Spezifikationen

Hersteller
Rectron
Kategorien
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
8 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-252-3
Packaging
Reel
Pd - Power Dissipation
80 W
Qg - Gate Charge
22 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
540 mOhms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
650 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.5 V

Produktkategorie

Circuit Protection 162,445 Produkte Connectors 2,428,639 Produkte Electromechanical 556,105 Produkte Embedded Solutions 41,129 Produkte Enclosures 20,894 Produkte Engineering Development Tools 42,996 Produkte Industrial Automation 558,346 Produkte LED Lighting 77,795 Produkte Optoelectronics 109,177 Produkte Passive Components 2,996,719 Produkte Power 323,117 Produkte Semiconductors 567,247 Produkte Sensors 70,154 Produkte Test & Measurement 23,394 Produkte

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