- Artikelnummer
- MTD8600N4-T
- Hersteller
- Marktech Optoelectronics
- Kategorien
- Phototransistors
- RoHS
- Datenblatt
- Beschreibung
- Phototransistors Photo Diode 880nm
MTD8600N4-T
Bilder dienen nur als Referenz
Spezifikationen
- Hersteller
- Marktech Optoelectronics
- Kategorien
- Phototransistors
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 30 V
- Collector-Emitter Breakdown Voltage
- 30 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 200 mV
- Dark Current
- 100 nA
- Fall Time
- 10 us
- Maximum On-State Collector Current
- 50 mA
- Maximum Operating Temperature
- + 100 C
- Minimum Operating Temperature
- - 30 C
- Mounting Style
- Through Hole
- Package / Case
- TO-18-2
- Pd - Power Dissipation
- 250 mW
- Peak Wavelength
- 880 nm
- Rise Time
- 10 us
Produktkategorie
Circuit Protection
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Connectors
2,428,639 Produkte
Electromechanical
556,105 Produkte
Embedded Solutions
41,129 Produkte
Enclosures
20,894 Produkte
Engineering Development Tools
42,996 Produkte
Industrial Automation
558,346 Produkte
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Optoelectronics
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Semiconductors
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Sensors
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Test & Measurement
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