- Artikelnummer
- BC 858C E6327
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kategorien
- Bipolar Transistors - BJT
- RoHS
- Datenblatt
- Beschreibung
- Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR
BC 858C E6327
Bilder dienen nur als Referenz
Spezifikationen
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kategorien
- Bipolar Transistors - BJT
- Collector- Base Voltage VCBO
- 30 V
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 30 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 250 mV
- Configuration
- Dual
- Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
- Gain Bandwidth Product fT
- 250 MHz
- Maximum DC Collector Current
- 200 mA
- Maximum Operating Temperature
- + 150 C
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Package / Case
- SOT-23-3
- Packaging
- Cut Tape, MouseReel, Reel
- Pd - Power Dissipation
- 330 mW
- Series
- BC858
- Transistor Polarity
- PNP
Produktkategorie
Circuit Protection
162,445 Produkte
Connectors
2,428,639 Produkte
Electromechanical
556,105 Produkte
Embedded Solutions
41,129 Produkte
Enclosures
20,894 Produkte
Engineering Development Tools
42,996 Produkte
Industrial Automation
558,346 Produkte
LED Lighting
77,795 Produkte
Optoelectronics
109,177 Produkte
Passive Components
2,996,719 Produkte
Power
323,117 Produkte
Semiconductors
567,247 Produkte
Sensors
70,154 Produkte
Test & Measurement
23,394 Produkte
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