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- IKD06N60RF
- Hersteller
- Infineon Technologies
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- IGBT Transistors
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- Datenblatt
- Beschreibung
- IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
IKD06N60RF
Bilder dienen nur als Referenz
Spezifikationen
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kategorien
- IGBT Transistors
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 600 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 2.2 V
- Configuration
- Single
- Continuous Collector Current at 25 C
- 12 A
- Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V
- Maximum Operating Temperature
- + 175 C
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Package / Case
- TO-252-3
- Packaging
- Cut Tape, Reel
- Pd - Power Dissipation
- 100 W
- Series
- Trenchstop RC
- Technology
- SI
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Roy Boustany
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Rasim Abdullayev
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Karina Erdmann
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Hazel Gooby
Looks good
Michael Beck
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