- Artikelnummer
- IKD04N60RATMA1
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kategorien
- IGBT Transistors
- RoHS
- Datenblatt
- Beschreibung
- IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
IKD04N60RATMA1
Bilder dienen nur als Referenz
Spezifikationen
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kategorien
- IGBT Transistors
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 600 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 1.65 V
- Configuration
- Single
- Continuous Collector Current at 25 C
- 8 A
- Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V
- Maximum Operating Temperature
- + 175 C
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Package / Case
- TO-252-3
- Packaging
- Cut Tape, MouseReel, Reel
- Pd - Power Dissipation
- 75 W
- Series
- Trenchstop RC
- Technology
- SI
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