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IKD10N60RC2ATMA1
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Spezifikationen
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- Infineon Technologies
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- IGBT Transistors
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 600 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 2.4 V
- Configuration
- Single
- Continuous Collector Current at 25 C
- 18.8 A
- Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V
- Maximum Operating Temperature
- + 175 C
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Package / Case
- PG-TO252-3
- Packaging
- Cut Tape, Reel
- Pd - Power Dissipation
- 79 W
- Series
- Trenchstop RC
Produktkategorie
Circuit Protection
162,445 Produkte
Connectors
2,428,639 Produkte
Electromechanical
556,105 Produkte
Embedded Solutions
41,129 Produkte
Enclosures
20,894 Produkte
Engineering Development Tools
42,996 Produkte
Industrial Automation
558,346 Produkte
LED Lighting
77,795 Produkte
Optoelectronics
109,177 Produkte
Passive Components
2,996,719 Produkte
Power
323,117 Produkte
Semiconductors
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Sensors
70,154 Produkte
Test & Measurement
23,394 Produkte
Neueste Rezensionen
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Sensofar Tech, SL
Goods came in two weeks. Well packed. Track number tracked
kwon yong sik
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Rasim Abdullayev
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Alexey Petrov
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Michael Beck
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