- Artikelnummer
- IKB40N65EF5ATMA1
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kategorien
- IGBT Transistors
- RoHS
- Datenblatt
- Beschreibung
- IGBT Transistors INDUSTRY 14
IKB40N65EF5ATMA1
Bilder dienen nur als Referenz
Spezifikationen
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kategorien
- IGBT Transistors
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 650 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 1.6 V
- Configuration
- Single
- Continuous Collector Current at 25 C
- 74 A
- Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V
- Maximum Operating Temperature
- + 175 C
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Package / Case
- TO-263-3
- Packaging
- Cut Tape, Reel
- Pd - Power Dissipation
- 250 W
- Series
- Trenchstop IGBT5
- Technology
- SI
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Test & Measurement
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Neueste Rezensionen
Works. Find the price of this product is very good
Maxim Krasnov
Order is very quickly, before Moscow flew for 12 days! Many thanks to the seller!
Rasim Abdullayev
Looks good
Michael Beck
Shipping bіlshe mіsyatsya. Chi pratsyuyut not perevіryav.
Babatunde Alli
I received the product right, thank you very much 2018/12/03 ★★★★★
Haur Su
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