IKB40N65ES5ATMA1

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Artikelnummer
IKB40N65ES5ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kategorien
IGBT Transistors
RoHS
Datenblatt
Beschreibung
IGBT Transistors INDUSTRY 14

Spezifikationen

Hersteller
Infineon Technologies
Kategorien
IGBT Transistors
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.35 V
Configuration
Single
Continuous Collector Current at 25 C
79 A
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package / Case
TO-263-3
Packaging
Cut Tape, Reel
Pd - Power Dissipation
230 W
Series
Trenchstop IGBT5
Technology
SI

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