- Artikelnummer
- RQ1E075XNTCR
- Hersteller
- ROHM Semiconductor
- Kategorien
- MOSFET
- RoHS
- Datenblatt
- Beschreibung
- MOSFET 4V N-CHANNEL DRIVE
RQ1E075XNTCR
Bilder dienen nur als Referenz
Spezifikationen
- Hersteller
- ROHM Semiconductor
- Kategorien
- MOSFET
- Channel Mode
- Enhancement
- Id - Continuous Drain Current
- 7.5 A
- Maximum Operating Temperature
- + 150 C
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Number of Channels
- 1 Channel
- Package / Case
- TSMT-8
- Packaging
- Cut Tape, Reel
- Pd - Power Dissipation
- 1.5 W
- Qg - Gate Charge
- 6.8 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance
- 17 mOhms
- Technology
- SI
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 30 V
- Vgs - Gate-Source Voltage
- - 20 V, + 20 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 1 V
Produktkategorie
Circuit Protection
162,445 Produkte
Connectors
2,428,639 Produkte
Electromechanical
556,105 Produkte
Embedded Solutions
41,129 Produkte
Enclosures
20,894 Produkte
Engineering Development Tools
42,996 Produkte
Industrial Automation
558,346 Produkte
LED Lighting
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Optoelectronics
109,177 Produkte
Passive Components
2,996,719 Produkte
Power
323,117 Produkte
Semiconductors
567,247 Produkte
Sensors
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Test & Measurement
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Roy Boustany
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kwon yong sik
Order is very quickly, before Moscow flew for 12 days! Many thanks to the seller!
Rasim Abdullayev
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Kathrin Leibfritz
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สิทธิศักดิ์ วันดี
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