RQ3G100GNTB

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Artikelnummer
RQ3G100GNTB
Hersteller
ROHM Semiconductor
Kategorien
MOSFET
RoHS
Datenblatt
Beschreibung
MOSFET Nch 40V 10A Power MOSFET

Spezifikationen

Hersteller
ROHM Semiconductor
Kategorien
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
10 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
HSMT-8
Packaging
Cut Tape, MouseReel, Reel
Pd - Power Dissipation
2 W
Qg - Gate Charge
8.4 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
11 mOhms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
40 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.2 V

Neueste Rezensionen

Empresa muy seria , el envió llego como veis en las fotos de manera muy segura , todos los componentes son de gran calidad , aconsejo TNT frente a DHL como compa?ía para el envió .

Perfectly.

Decent quality, not минвелл certainly, but enough decent

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