RQ3G110ATTB

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Artikelnummer
RQ3G110ATTB
Hersteller
ROHM Semiconductor
Kategorien
MOSFET
RoHS
Datenblatt
Beschreibung
MOSFET Pch -40V -35A, HSMT8, Power MOSFET. RQ3G110AT is a power MOSFET, suitable for load switching applications.

Spezifikationen

Hersteller
ROHM Semiconductor
Kategorien
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
35 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
HSMT-8
Packaging
Cut Tape, Reel
Pd - Power Dissipation
20 W
Qg - Gate Charge
46 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
12.4 mOhms
Technology
SI
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
40 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.5 V

Neueste Rezensionen

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