- Artikelnummer
- RQ3L050GNTB
- Hersteller
- ROHM Semiconductor
- Kategorien
- MOSFET
- RoHS
- Datenblatt
- Beschreibung
- MOSFET Nch 60V 12A Si MOSFET
RQ3L050GNTB
Bilder dienen nur als Referenz
Spezifikationen
- Hersteller
- ROHM Semiconductor
- Kategorien
- MOSFET
- Channel Mode
- Enhancement
- Id - Continuous Drain Current
- 12 A
- Maximum Operating Temperature
- + 150 C
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Number of Channels
- 1 Channel
- Package / Case
- HSMT-8
- Packaging
- Cut Tape, MouseReel, Reel
- Pd - Power Dissipation
- 14.8 W
- Qg - Gate Charge
- 5.3 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance
- 43 mOhms
- Technology
- SI
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 60 V
- Vgs - Gate-Source Voltage
- - 20 V, + 20 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 1 V
Produktkategorie
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Connectors
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Electromechanical
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Embedded Solutions
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Enclosures
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