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IKD15N60RC2ATMA1
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Spezifikationen
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- Infineon Technologies
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- IGBT Transistors
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 600 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 2.4 V
- Configuration
- Single
- Continuous Collector Current at 25 C
- 28 A
- Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V
- Maximum Operating Temperature
- + 175 C
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Package / Case
- PG-TO252-3
- Packaging
- Cut Tape, Reel
- Pd - Power Dissipation
- 115.4 W
- Series
- Trenchstop RC
Produktkategorie
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Connectors
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Electromechanical
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Embedded Solutions
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