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- IKD15N60RFATMA1
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kategorien
- IGBT Transistors
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- Datenblatt
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- IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IKD15N60RFATMA1
Bilder dienen nur als Referenz
Spezifikationen
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kategorien
- IGBT Transistors
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 600 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 2.2 V
- Configuration
- Single
- Continuous Collector Current at 25 C
- 30 A
- Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V
- Maximum Operating Temperature
- + 175 C
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Package / Case
- TO-252-3
- Packaging
- Reel
- Pd - Power Dissipation
- 250 W
- Series
- Trenchstop RC
- Technology
- SI
Produktkategorie
Circuit Protection
162,445 Produkte
Connectors
2,428,639 Produkte
Electromechanical
556,105 Produkte
Embedded Solutions
41,129 Produkte
Enclosures
20,894 Produkte
Engineering Development Tools
42,996 Produkte
Industrial Automation
558,346 Produkte
LED Lighting
77,795 Produkte
Optoelectronics
109,177 Produkte
Passive Components
2,996,719 Produkte
Power
323,117 Produkte
Semiconductors
567,247 Produkte
Sensors
70,154 Produkte
Test & Measurement
23,394 Produkte
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Sensofar Tech, SL
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Stoyan Chaykov
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dennis kraft
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CHARLES SANTOS
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Rasim Abdullayev
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