- Artikelnummer
- RQ3E120BNTB
- Hersteller
- ROHM Semiconductor
- Kategorien
- MOSFET
- RoHS
- Datenblatt
- Beschreibung
- MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
RQ3E120BNTB
Bilder dienen nur als Referenz
Spezifikationen
- Hersteller
- ROHM Semiconductor
- Kategorien
- MOSFET
- Channel Mode
- Enhancement
- Id - Continuous Drain Current
- 12 A
- Maximum Operating Temperature
- + 150 C
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Number of Channels
- 1 Channel
- Package / Case
- HSMT-8
- Packaging
- Cut Tape, Reel
- Pd - Power Dissipation
- 2 W
- Qg - Gate Charge
- 29 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance
- 6.6 mOhms
- Technology
- SI
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 30 V
- Vgs - Gate-Source Voltage
- - 20 V, + 20 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 2.5 V
Produktkategorie
Circuit Protection
162,445 Produkte
Connectors
2,428,639 Produkte
Electromechanical
556,105 Produkte
Embedded Solutions
41,129 Produkte
Enclosures
20,894 Produkte
Engineering Development Tools
42,996 Produkte
Industrial Automation
558,346 Produkte
LED Lighting
77,795 Produkte
Optoelectronics
109,177 Produkte
Passive Components
2,996,719 Produkte
Power
323,117 Produkte
Semiconductors
567,247 Produkte
Sensors
70,154 Produkte
Test & Measurement
23,394 Produkte
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