RQ3E110AJTB

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Artikelnummer
RQ3E110AJTB
Hersteller
ROHM Semiconductor
Kategorien
MOSFET
RoHS
Datenblatt
Beschreibung
MOSFET 30V N-CHANNEL 24A

Spezifikationen

Hersteller
ROHM Semiconductor
Kategorien
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
24 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
HSMT-8
Packaging
Cut Tape, Reel
Pd - Power Dissipation
15 W
Qg - Gate Charge
13.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
11.7 mOhms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 12 V, + 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
500 mV

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